F8621A 中国首次！北京大学传感器芯片论文斩获ISSCC年度最佳论文奖

近日（2月18-22日），国际固态电路会议（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）在美国旧金山举行。

ISSCC会议每年2月中旬举行，是国际公认的规模最大、领域内最权威、水平最高的芯片设计领域学术会议，被业界誉为“集成电路设计国际奥林匹克盛会”，每年约有200项芯片实测成果入选，约四成左右的芯片成果来自于国际芯片巨头公司，例如：英特尔、三星、台积电、AMD、英伟达、高通、博通、ADI、TI、联发科等，其余六成左右的芯片成果来自于高校和科研院所。

历史上入选ISSCC的成果代表着当年度全球领先水平，展现出芯片技术和产业的发展趋势，多项“芯片领域里程碑式发明”在ISSCC首次披露，如：世界上第一个集成模拟放大器芯片（1968年）、第一个8位微处理器芯片（1974年）和32位微处理器芯片（1981年）、第一个1Gb内存DRAM芯片（1995年）、第一个多核处理器芯片（2005年）等。

北京大学黄如院士-叶乐教授团队的论文（Jihang Gao, Linxiao Shen*, Heyi Li, Siyuan, Ye, Jie Li, Xinhang Xu, Jiajia Cui, Yunhung Gao, Ru huang, and Le Ye*, “A 7.9fJ/Conversion-Step and 37.12aFrms Pipelined-SAR Capacitance-to-Digital Converter with kT/C Noise Cancellation and Incomplete-Settling-Based Correlated Level Shifting”, ISSCC 2023）获得年度唯一最佳论文奖（Anantha P. Chandrakasan Award for Outstanding Distinguished-Technical Paper）。论文第一作者为博士生高继航，通讯作者为沈林晓研究员和叶乐教授；论文也得到了浙江省北大信息技术高等研究院以及微纳核芯公司的技术支持。

该奖项也是IEEE固态电路学会（Solid State Circuits Society）顶级会议最高奖，每年仅颁一项。这既是集成电路设计领域国际年度唯一最高学术荣誉，也是ISSCC自1953年创办70年以来国内（含港澳地区）首次获奖，表明我国科研团队在集成电路设计领域的创新能力已经获得全球最高学术荣誉的认可！