IS220PDIOH1B 今日看点丨美光将首先采用佳能纳米压印光刻机；传三星与应用材料合作简化EUV光刻技术

1. 英特尔将获美国35亿美元芯片补贴
 
美国国会助理表示，美国政府计划对英特尔补贴35亿美元，以生产军用先进半导体，该预算编列在当地时间3月6日通过的一项快速支出法案中。
 
这笔资金为期三年，用于支持所谓“安全飞地（secure enclave）”的计划。计划的资金来自总金额390亿美元的《芯片和科学法案》。芯片法案立法的宗旨是鼓励芯片制造商在美国生产半导体，目前已有600多家公司表明希望获得补助。2023年11月有报道称，英特尔正协商就“安全飞地”的计划争取30亿至40亿美元的补贴。另有报道称，英特尔有望从芯片法案拿到超过100亿美元的现金和贷款补助。
 
2. 美光将首先采用佳能纳米压印光刻机，降低DRAM生产成本
 
美国存储厂商美光计划首先采用日本佳能的纳米压印（NIL）光刻机，希望借此进一步降低生产DRAM存储器的成本。美光日前举办演讲，介绍纳米压印技术用于DRAM生产的细节。美光阐述了DRAM制程和浸润式曝光解析度的问题，通过Chop层数不断增加，必须增加更多曝光步骤，以取出密集存储阵列周围的虚置结构。
 
由于光学系统特性，DRAM层图案很难用光学曝光图案，纳米压印可实现更精细的图案，且成本是浸润式光刻的20%，成为较佳的解决方案。但纳米压印并不能在存储器生产所有阶段取代传统光刻，两者并非纯粹竞争关系，但至少可以降低部分技术操作成本。佳能于2023年10月推出新型FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机，可将电路图案直接印在晶圆上，佳能强调了该设备的低成本和低功耗，其前景成为行业争论的话题。
 
3. 传三星与应用材料合作简化EUV光刻技术
 
消息称三星电子正在与应用材料公司合作，希望减少极紫外（EUV）工艺步骤的数量，如果成功，将有助于降低半导体生产成本。韩国业界表示，随着越来越多的公司采用EUV工艺，预计许多公司将开始投资减少EUV工艺步骤的技术。
 
业内消息人士称，三星正在尝试与应用材料公司合作，以减少4nm的工艺步骤数量。这将主要通过应用材料的“Centura Sculpta”图案化系统来实现，该系统于2023年开发，旨在减少EUV工艺步骤。Centura Sculpta是一种图案成型系统，可帮助客户减少光刻时间。应用材料在2023年2月表示，光刻技术正变得越来越复杂和昂贵，新技术方法可以简化芯片生产流程，同时减少浪费和环境影响。应用材料声称，Centura Sculpta可以将每片晶圆的生产成本降低50美元以上。
 
4. 高塔半导体回应工厂停工：仍将按计划履行晶圆交付承诺
 
近日媒体报道称，在行业放缓的情况下，高塔半导体计划对其美国纽波特海滩市（Newport Beach）的大部分业务进行为期三周的停工，此举将使近700名员工休假。高塔半导体确认将于4月1日至7日关闭其大部分业务，并计划在7月1日至7日和10月7日至13日关闭更多业务。
 
对此，高塔半导体发布声明指出，Tower Newport Beach工厂计划在 4 月 1 日至 4 月 7 日期间进行维护，晶圆上线计划和生产在此期间会受限制。因为这是一次计划中的正常维护，我们仍将按计划履行晶圆交付承诺。Tape out工作将继续进行，不会中断。