MVI69E-MBS 多款产品通过车规认证，国产SiC MOSFET加速上车
发布日期： 2024-03-13 作者：
瞻芯电子
瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证。
据介绍，瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的，自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来，至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品，对比上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件的比导通电阻降低约25%，能进一步降低器件损耗，提升系统效率。
这次瞻芯电子推出的三款产品，导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C ～175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。主要适用于电机驱动、光伏逆变器、车载DC-DC、OBC、开关电源等应用。
蓉矽半导体
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
这款SiC MOSFET电压等级为1200V，在AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了HV-H3TRB可靠性验证，同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在在更为极端的应用场景中，也有优秀的稳定性和可靠性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。
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