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PCD232A 受困于良率?三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

发布日期: 2024-03-14 作者:
三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜(NCF)技术,而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)封装工艺。报道称之所以要采用MR-MUF是为了解决NCF工艺的一些生产问题。几位分析师也表示,三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%,而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。

NCF技术(非导电薄膜技术),是使用热压缩薄膜来连接芯片。可以减少堆叠芯片之间的空间,从而在紧凑的HBM芯片组中堆叠多层芯片。

MR-MUF则是将半导体芯片堆叠后,为了保护芯片和芯片之间的电路,在其空间中注入液体形态的保护材料,并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较,工艺效率更高,散热方面也更加有效。这种技术为半导体制造带来了更高的集成度和性能提升,尤其在处理大数据和复杂计算任务时,能够显著提升芯片的运行效率和稳定性。

尽管在封装上各自路径不同,不过三星加快了HBM的研发步伐。目前三星已经发布最新的HBM3E 12H产品,将HBM3E DRAM芯片堆叠至12层,是迄今为止容量最大(36GB)的HBM产品。HBM3E 12H提供了高达每秒1280千兆字节(GB/s)的最高带宽。

三星HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致。三星电子称,已经开始向客户提供该芯片的样品,并计划在2024年上半年批量生产HBM3E 12H产品。

美光科技也于日前宣布,已开始量产HBM3E,其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达,并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU,该GPU将于2024年第二季度开始发货。美光HBM3E可提供超过1.2 TB/s内存带宽,与竞争产品相比功耗降低约30%。根据产品规划,美光还将推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。另有消息称SK海力士今年3月量产全球首款HBM3E存储器。

从进度上来看,三星的HBM3E的量产时间略晚于SK海力士和美光科技。但是今年HBM三大家的竞争已经全面转向HBM3E。那么产能也将是一个重要部署。三星电子此前表示,今年将把HBM供应能力保持在行业最高水平,将产能提升至去年的2.5倍,以满足对人工智能芯片不断增长的需求。

SK海力士也同样做好了提升HBM产能的准备。SK海力士2024 年计划投资超过 10 亿美元,扩大在韩国的测试和封装能力。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长(Lee Kang-Wook)表示,SK海力士正在将大部分新投资投入到推进MR-MUF和TSV(硅通孔)技术中。

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