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ABB 5SGY3545L0020 绝缘栅双极型晶体管 驱动功率小而饱和压降低

产品型号:5SGY3545L0020
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩 散形成的金属氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。在那个时候, 硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通 )型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米先进到3微米。
ABB   5SGY3545L0020    绝缘栅双极型晶体管     驱动功率小而饱和压降低
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