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5SHX08F4502 IGCT模块 它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多

产品型号:5SHX08F4502
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详细介绍


5SHX08F4502    IGCT模块

IGCT工作在导通状态时,是一个像晶闸管一样的正反馈开关,其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下,IGCT--阴极间的pn结提前进入反向偏置,并有效地退出工作,整个器件呈晶体管方式工作,该器件在这两种状态下的等效电路图,IGCT关断时,通过打开一个与阴极串联的开关(通常是MOSFET),使P基极n发射极反偏,从而迅速阻止阴极注入,将整体的阳极电流强制转化成门极电流(通常在ls内),这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管,消除了阴极发射极子收缩效应。这样,它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。由于IGCT在增益接近1时关断,因此,保护性的吸收电路可以省去。

5SHX08F4502   IGCT模块     它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多

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5SHX08F4502    IGCT模块

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。

其他型号;

PM511V16 3BSEO11181R1GRBTU 3BSE013175R1 DSA01204 3BSE018293R1
PPD113B01-10-150000 3BHESM811K01 3BSE018173R1DSAI146 3BSE007949R1
SA168 3BSE003389R1  TK8034018 3B5C950130R1  RB520 3BSE003528R1
CS5133BSE000435R1  MB510 3BSE002540R1   ABB CI541V1
CI522A 3BSE018283R1  CI546 3BSE012545R1  SB510 3BSE000860R1
TC5203BSE001449R1  SR5113BSE000863R1  SC5203BSE003816R1
SC510 3BSE003832R1  RE522 3BSE000743R1  DSRF197 3BSE019297R1

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