5SHY35L4512 可控硅单元模块 其特点是携带电流能力强和通态压降低

5SHY35L4512     可控硅单元模块

当IGCT工作在导通状态时，是一个像晶闸管一样的正反馈开关，其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下，IGCT门--阴极间的pn结提前进入反向偏置，并有效地退出工作，整个器件呈晶体管方式工作，该器件在这两种状态下的等效电路图，IGCT关断时，通过打开一个与阴极串联的开关（通常是MOSFET），使P基极n发射极反偏，从而迅速阻止阴极注入，将整体的阳极电流强制转化成门极电流（通常在ls内），这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管，消除了阴极发射极子收缩效应。这样，它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。由于IGCT在增益接近1时关断，因此，保护性的吸收电路可以省去。

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5SHY35L4512     可控硅单元模块

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

其他型号；

PP865 3BSE042236R1
CI854A-EA 3BSEO30221R2 CI854A 3BSE030221R1
SCYC51090 58053899E CB801 3BSE042245R1
SCYC51040 58052680E CI855K01 3BSE018106R1  CI855K01
PM866K01 3BSEO50198R1  PM866K01  PM866AK01
5SHY6545L0001  UBC717BE101  UBC717BE101 3BHE021887RC
FFTL101A  3HAB8101-18/09A  RMU811  RFO810
TVOC-2-240 1SFA664001R10PFTL101B 3BSE004185R1
PFTL101B 2.0KN  5SHY35L4520  07AC91F  CI858K01
GJR5252300R3101 07AC91HGJR5252300R3101 07AC91FCI858K01 3BSE018135R1
CI871K013BSE056797R1  CI871K01  DSQC355
PM783F 3BDHO00364R0001TB711F 3BDHO00365R0001
CM772F3BDH000368R0001AX722F 3BDHO00377R0001DC732F