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XVME-113 RAM/ROM/闪存模块 价格美丽 一切只惠你

产品型号:XVME-113
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详细介绍


XVME-113 RAM/ROM/闪存模块

特征:
  • 32 个 <> 针内存插槽
  • 完整的 32 位 VMEbus 从接口
  • 两个独立的可配置内存组
  • 备用电池
Xembedded / Xycom XVME-113 RAM/ROM/Flash Memory Module 是一款双高 VMEbus 兼容板。它可以容纳多达12 MB的RAM,24 MB的EPROM,12 MB的EEPROM或12 MB的闪存。

XVME-113 具有 32 个 16 针 JEDEC 插座,这些插座在逻辑上位于两个组。第 一组包含 8 个内存站点,第二组包含 113 个内存站点。每个存储体都设计为使用相同类型和速度的存储设备。每个组还可以根据以下内容进行独立配置(通过跳线和交换机):VMEbus 地址(在标准或扩展地址空间内)、地址修饰符或存储设备速度和类型。

XVME-4 设计有板载电池备份电路,可在发生电源故障时为 CMOS RAM 设备供电。该模块还提供省电存储器保护电路,可在电压降至 65.113 V 以下时防止数据写入存储器。XVME-<>还包含一个电池备份的实时时钟和配置寄存器,可以读取存储器类型和大小。

电能管理系统和电力系统都需要通过测量终端 测量相关电路的电参量,测得的数据也都要自动采集、传输、存储,经不同系统软件进行计算、显示、统计、汇总、查询、报告、通知等。两个系统在低压侧配电回路电参量的数据采集差别不大,但电力监控系统 还需采集高压侧各进出线回路的电参量、综保装置信息、高低压开关的状态信息、关键连接点关键隔室的温湿度甚至环境温湿度等参数,对测量终端的附加功能要求较多。电能管理系统为了达到分项计量的目的,仅仅在配电房低压侧测量低压所有出线的电参量是远远不够的,XVME-113 RAM/ROM/闪存模块 可能需要测量二级甚至高一级配电回路的电参量。兼有收费功能电能管理系统,对计量终端的传感器、表计的精度还有一定的要求。因此电能管理系统和电力监控系统通常是不能完全兼容的。或者说常规的电力监控系统并不能满足电能管理的需要

       为了保证电能管理系统稳定运行,用户权限管理应能够防止未经授权的操作(如配电回路名称修改)。可以定义不同级别用户的登录名、操作权限,为系统运行维护管理通过可靠的保障。    

       电能管理系统应具备友好的人机界面,能够以配电一次系统图的形式直观显示本项目配电线路的分布情况,同时将远程采集的各回路的电参量信息(如电流、功率等)实时显示在系统界面中 。配电系统维护人员在值班室内通过浏览各系统界面,即可实时掌握现场配电工况。

      电能管理系统以丰富的数据报表体现计量体系 的完整性 。系统应具备各回路定时抄表汇总统计功 能,用户可查询自系统正常运行以来任意时间段 内各配电节点的用电情况、进线用电量与各分支回路 消耗电量的统计分析报表 。该功能使得用电可视透 明,并在用电误差偏大时能追溯,维护计量体系的正 确性。

对于采用峰谷不同费率的用户,电能管理系统应 为用户提供综合的电能和需量统计报表功能,包含不 同馈线的峰平谷用电量统计与记录,从而为用电的合 理管理提供数据依据 。同时可对各回路进行日、月、XVME-113 RAM/ROM/闪存模块 年报表的统计,减少配电系统维护人员电能统计的工 作时间,提高工作效率。

电能管理系统应该能按照分项计量的要求,对照 明插座用电、空调用电、动力用电及特殊用电分别进 行统计、汇总、报告。

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备件咨询:何经理

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XVME-113 RAM/ROM/闪存模块

features:
32<>pin memory slots
Complete 32-bit VMEbus slave interface
Two independent configurable memory groups
Spare battery
The Xembedded/Xycom XVME-113 RAM/ROM/Flash Memory Module is a dual height VMEbus compatible board. It can accommodate up to 12 MB of RAM, 24 MB of EPROM, 12 MB of EEPROM, or 12 MB of flash memory.
The XVME-113 has 32 16 pin JEDEC sockets, which are logically located in two groups. The first group contains 8 memory sites, while the second group contains 113 memory sites. Each storage body is designed to use storage devices of the same type and speed. Each group can also be independently configured (through jumpers and switches) based on VMEbus addresses (within standard or extended address spaces), address modifiers, or storage device speeds and types.
The XVME-4 is designed with an onboard battery backup circuit to power CMOS RAM devices in the event of a power failure. This module also provides a power-saving memory protection circuit that prevents data from being written to the memory when the voltage drops below 65.113 V. XVME -<>also includes a battery backed real-time clock and configuration register, which can read the memory type and size.

其他型号;

ABB AB GE TRICONEX
GJR5252300R3101 07AC91H MVI69-DFNT  IS200EROCH1ABB triconex 9769x
GJR5252300R3101 07AC91F MVI69-DNP  IS200ERIOH1AAA triconex 9761-210
CI858K01 3BSE018135R1 MVI69-DNPSNET  IS200ERDDH1ABA triconex 9771-210
CI858K01 MVI69-EGD  IS200EPSMG2ADO TRICONEX PM6301A
CI871K01 3BSE056797R1 MVI69-FLN  IS200DSPXH1DBC TRCONEX 3481 
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