5SHY4045L0006 IGCT系列模块 给电力电子成套装置带来了新的飞跃

5SHY4045L0006   IGCT系列模块

IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起， 再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大阻断电压高、开关频率高、可靠性高结构坚法 低导通损耗等特点 而日造低成本低，成品率高有很好的应用前景

应用创新方案 赋能智慧医疗产业不断升级

数字赋能智慧医疗已成为主流趋势。动态监测方案在体征监控、辅助决策、健康管理等领域都发挥着重要作用，促成数字化医疗新业态的出现，大大提升了医疗服务整体能力。其中，生命体征监测在各行业以及人们日常生活中都变得越来越普遍。无论是用于治疗还是预防，这种与人体健康息息相关的动态监测方案均需采用安全可靠的通信技术。

自连动态健康监测方案完全适配无线化医疗场景需求，5SHY4045L0006   IGCT系列模块“可穿戴设备+蓝牙网关”的融合应用弥补了传统体征监测的缺点，成为动态监测系统的标配。网关使多类型蓝牙动态可穿戴设备（如动态心电贴、体温贴、血糖仪、胰岛素泵、健康手环、血压计等）所采集的体征数据通过4G或WIFI无线传输到云端系统，进行数据管理、储存与分析，并在PC端/移动端可视化界面呈现出来，跟踪被监测者的健康状况。自连网关产品支持WPA/WPA2-Enterprise或802.1x/EAPoL等接入AP的安全机制，采取“一机一密，一型一密”的应用模式，低时延高可靠通信让无线化数据传输得到精密保障。

探索物联网科技，加速系统性优势布局

根据近年国内外医疗事业投入比重显示，健康已成为评估社会发展的一项重要指标，各类医疗监测装备日新月异。加之国家对医疗产业的大力扶持和庞大需求，动态体征监测市场将迎来全新的扩张阶段。自连专用于动态监测的医疗级数据网关系列具有操作简易、数据精准、连续监测、便捷小巧等特点，结合自连物联网整体解决方案，全面融入辅助医疗、运动健康、设备/表计巡检、工业控制管理等领域，让无线连接更简单、更安全、更快速。尤其是收集传输连续性体征数据（心率、血压、血糖等），5SHY4045L0006  IGCT系列模块辅助完成高准确度健康状态判断。自连已在动态监测领域形成全面的系统性优势，打开巨大的产业发展空间。

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5SHY4045L0006   IGCT系列模块

IGCT Integrated Gate Commutated Thyristors are a type of power semiconductor switching device developed for medium voltage inverters and used in giant power electronic complete sets (Integrated Gate Commutated Thyristors=Gate Commutated Thyristors+Gate Units). Proposed by ABB in 1997. IGCT has made significant progress in power, reliability, switching speed, efficiency, cost, quantity, and volume of converter devices, bringing a new leap to power electronic complete sets of devices. IGCT integrates GTO chips with anti parallel diodes and gate drive circuits, and then connects them with gate drivers in a low inductance manner on the periphery. It combines the stable turn-off ability of transistors and the advantages of low on state losses of thyristors, and utilizes the performance of thyristors during the conduction phase. The turn-off phase exhibits the characteristics of transistors. IGCT has the characteristics of high current, high blocking voltage, high switching frequency, high reliability, strong structure, low conduction loss, etc., and has good application prospects with low cost and high yield in daily manufacturing

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