ABB 5SHY3545L0016   可控硅晶闸管

IGCT与GTO相似，也是四层三端器件, GCT内部由成千个GCT组成，阳极和门极共用,而阴极并联在一起。 与GTO有 重要差别的是IGCT阳极内侧多了缓冲层，以透明(可穿透)阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全-样,但关断机理与GTO完全不同，在IGCT的关断过程中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成-个pnp晶体管以后再关断,所以它无外加du/dt限制;而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换(即" GTO区”)，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du/dt。阻断状态下IGCT的等效电路可认为是一个基极开路、 低增益pnp晶体管与栅极电源的串联。IGCT触发功率小，可以把触发及状态监视电路和IGCT管芯做成一个整体， 通过两根光红输入触发信号、输出工作状态信号。IGCT将GTO技术与现代功率晶体管|GBT的优点集于一身， 利用大功率关断器件可简单可靠地串联这一关键技术， 使得IGCT在中高压领域以及功率在 0.5MVA ~ 100MVA的大功率应用领域尚无真正的对手。IGCT损耗低、开关快速等这些优点保证了它能可靠、高效率地用于300 kVA ~ 10MVA变流器，而不需要串联或并联。在串联时，逆变器功率可扩展.到100MVA。虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性, 如能实现di/dt和dv/dt 的有源控制、有源箝位、易于实现短路电流保护和有源保护等。但因存在着导通高损耗、损坏后造成开路以及无长期可靠运行数据等缺点，限制了融率IGBT模块在高功率低频变流器中的实际应用。因此IGCT将成为高功率高电压变频器的功率器件。关于售后：
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